- 新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優勢的產品。 便攜式產品(如手機、數碼照相機、
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比較 MOSFET 晶體管 雙極結 VCEsat
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