- 目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步，半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器
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英飛凌 功率電路
- 在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個GaN組件，將能協助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發展。同時提供DC/DC轉換器與負載點（POL）轉換器所需的開發動能，進一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過去
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氮化鎵 功率電路
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