- 北京大學正大步邁入后硅時代與埃米級（?ngstr?m）半導體領域。該校研究團隊近日在《自然》雜志發表論文，宣布成功研制全球首顆二維低功耗全環繞柵場效應晶體管（GAAFET），這項由彭海林教授、邱晨光教授領銜的跨學科成果，被團隊成員稱為 "里程碑式突破"。 彭海琳團隊合影（右一為彭海琳）技術核心：從 "硅基捷徑" 到 "二維換道"北大團隊制備出論文所述的 "晶圓級多層堆疊單晶二維全環繞柵結構"。何為二維環柵晶體管？顧名
- 關鍵字：
北京大學 GAAFET 全環繞柵場效應晶體管 芯片設計
全環繞柵場效應晶體管介紹
您好，目前還沒有人創建詞條全環繞柵場效應晶體管!
歡迎您創建該詞條，闡述對全環繞柵場效應晶體管的理解，并與今后在此搜索全環繞柵場效應晶體管的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
