- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
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pHEMT 放大器 有效偏置 偏置電路
- 分壓式偏置電路經典設計-分壓式偏置電路是三極管另一種常見的偏置電路。這種偏置電路的形式固定，所以識別方法相當簡單。
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偏置電路
- 采用一個電源的互補對稱電路的偏置電路1.靜態偏置調整R1、R2阻值的大小，可使Vk=1/2Vcc此時電容上電壓Vc=1/2VCC2.動態工作情況此電路存在的問題：K點電位受到限制VB1=VCC-VCES+VBE>VCC...
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電源 互補對稱 偏置電路
- 采用MAX5026實現可編程APD偏置電路光通信接收器中常常采用雪崩光敏管(APD)作為PIN二極管，APD具有較高的靈敏 ...
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MAX5026 可編程 APD 偏置電路
偏置電路介紹
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