- 摘? 要：本文研究了P型保護環對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備
了不帶保護環的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在
高壓工藝下制備了不帶保護環的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_
GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時利用傳輸線脈沖（TLP）測試儀
分析了它們的靜電性能。結果表明，保護環的增加對器件靜電防護能力無較大影響，但在1?
- 關鍵字：
202206 雙向可控硅 保護環 寄生電容 傳輸線脈沖測試系統
- 使用保護環的反相放大器電路TLC2652是高精度放大器，往往在輸入電壓為微伏量級的情況下高增益工作。要保證 ...
- 關鍵字：
保護環 反相放大器
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