- 隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
- 關鍵字：
SOI 體硅 FinFET
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