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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 低溫

低碳院低溫脫硝催化劑開發(fā)與機理研究取得新突破

  • 國家能源集團北京低碳清潔能源研究院（簡稱低碳院）環(huán)保技術(shù)中心團隊最近在低溫脫硝催化劑開發(fā)與機理研究方面取得重要進展，最新研究結(jié)果于5月27日發(fā)表于Nature子刊《Communications Chemistry》上。氮氧化物（NOx）是主要的大氣污染物之一，包括 NO、 NO2 和 N2O 等。氮氧化物是形成酸雨的重要因子，是生成臭氧和光化學(xué)煙霧的重要前驅(qū)物之一，也是形成區(qū)域PM2.5污染和灰霾的重要原因。作為NOx的主要排放源之一，我國燃煤電廠目前采用了全球最嚴(yán)苛的NOx排放限值。氨氣選擇性催化還
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多區(qū)域ITO膜的大尺寸LCD低溫加熱研究報告

  • 本文以ITO膜作為加熱元件，設(shè)計制備了大尺寸液晶顯示器的低溫加熱模塊。采用5個非等分的分區(qū)加熱結(jié)構(gòu)，通過調(diào)控各區(qū)域ITO膜加載功率的占空比和引入反饋
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一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計

  • 摘要 基于TSMC40 nm CMOS工藝設(shè)計了一種高精度帶隙基準(zhǔn)電路。采用Spectre工具仿真，結(jié)果表明，帶隙基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～125℃的范圍內(nèi)具有10times;10-6／℃的溫度系數(shù)，在電源電壓在1．5～3．3 V變化時，基準(zhǔn)輸
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低溫p-Si薄膜的制備研究

  • 引言近年來，有源液晶顯示技術(shù)在液晶顯示產(chǎn)業(yè)和研究領(lǐng)域都獨占鰲頭。在有源液晶顯示技術(shù)中，多晶硅薄膜因高遷移率展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢，它的器件尺寸小，可以獲得更高的開口率和分辨率；由于遷移率的提高可以將周邊驅(qū)動
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低溫多晶硅在中小尺寸面板份額持續(xù)增加

  • 中小尺寸TFT面板市場在未來幾年還將繼續(xù)保持一個穩(wěn)步增長的態(tài)勢。市場整體增長率在2010年為39％，預(yù)計2011年將...
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一種低溫漂的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究

  • 摘要：為了滿足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補償技術(shù)設(shè)計的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構(gòu)成，實現(xiàn)了VBE和VT的線性
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簡述LED低溫照明的應(yīng)用

  • 1、什么是低溫照明？低溫照明是指運用人造光源來照明，環(huán)境溫度在攝氏5度C以下場所，例如冷藏柜、冷凍柜、冰箱、...
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LED道路照明低溫運行環(huán)境下的可靠性保障

  • 隨著led照明技術(shù)的快速發(fā)展，在國內(nèi)的許多城市，道路照明已經(jīng)不乏LED路燈的身影。尤其是大功率LED器件的光效超...
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一種低溫漂低功耗的簡易帶隙基準(zhǔn)電壓設(shè)計

  • 電壓基準(zhǔn)在模擬電路中提供一個受電源或溫度等影響較小的參考電壓，以保證整個電路正常工作。設(shè)計了一種低溫漂低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源，采用不受電源影響的串聯(lián)電流鏡做偏置，利用PTAT電壓的正向溫度系數(shù)和基極發(fā)射極電壓的負向溫度系數(shù)特性，以適當(dāng)?shù)南禂?shù)加權(quán)構(gòu)造零溫度系數(shù)的電壓量。該設(shè)計避開了運放的應(yīng)用，結(jié)構(gòu)簡易，原理清晰，便于入門級的同學(xué)在短時間內(nèi)學(xué)習(xí)掌握。0～70℃范圍內(nèi)，溫漂系數(shù)為16．4 ppm／℃。供電電壓在5～6 V范圍內(nèi)變化時，電源抑制比達57．7 dB。總輸出噪聲為140．3μV，功耗為300．6 μW。
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實現(xiàn)液晶顯示器低溫顯示的方法

  • 1 引言液晶顯示器具有功耗低、清晰度高、壽命長、體積小、重量輕、光學(xué)特性好等特點，是理想的顯示器件，廣泛應(yīng)用在各種儀器儀表上。液晶顯示是一種被動的顯示，它本身不能發(fā)光，只能依靠周圍環(huán)境的光來顯示。它只需
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