- 摘? 要：本文研究了P型保護環對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備
了不帶保護環的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在
高壓工藝下制備了不帶保護環的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_
GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時利用傳輸線脈沖（TLP）測試儀
分析了它們的靜電性能。結果表明，保護環的增加對器件靜電防護能力無較大影響，但在1?
- 關鍵字：
202206 雙向可控硅 保護環 寄生電容 傳輸線脈沖測試系統
- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實現了一種陽極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線脈沖測試系統（TLP），預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
- 關鍵字：
可控硅（SCR） 硅化物阻擋層（SAB） 仿真 傳輸線脈沖測試系統（TLP） 維持電壓（Vh） 202109
傳輸線脈沖測試系統介紹
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