- 近日，美國麻省理工學院（MIT）的研究團隊取得了一項重大突破，他們開發出了一種全新的技術，可以將低溫生長區與高溫硫化物前體分解區分離，并通過金屬有機化學氣相沉積法，在低于300℃的溫度下合成二維材料。這項技術可以直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長，從而實現更高層次的芯片建造。這項技術的意義非常重大，如果成熟并得到廣泛應用，將會引領新一輪的技術革命。人工智能和機器人技術將會迅速發展，賽博朋克世界或許也會很快到來。為什么這項技術如此重要呢？首先，我們需要了解芯片在現代社會中扮演著什么樣的角色。芯片是
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MIT 二硫化鉬
- 據報道，麻省理工學院的研究團隊最近成功開發出了一種基于二硫化鉬的原子級薄晶體管，這個突破將對芯片技術的發展產生重大影響。傳統的半導體芯片是由塊狀材料制成，呈方形的3D結構，將多層晶體管堆疊起來實現更密集的集成非常困難。而這種原子級的薄晶體管則由超薄的二維材料制成，每個晶體管只有3個原子厚，可以堆疊起來制造更強大的芯片。這項技術的突破將有望推動芯片技術的發展進入一個新的階段，突破摩爾定律的天花板，為高性能計算、人工智能、物聯網等領域帶來重大影響。此外，這種技術還可以為柔性電子設備、可穿戴技術和智能紡織品等領
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