- 近日來自美國哥倫比亞大學和康奈爾大學等機構的科學家，深度融合光子技術與先進的互補金屬氧化物半導體電子技術，攜手研制出一款新型三維光電子芯片。這款芯片實現了前所未有的數據傳輸能效及帶寬密度，為研發下一代人工智能（AI）硬件奠定了堅實基礎。研究團隊最新研制的這款三維芯片面積僅0.3平方毫米，其上集成了80個高密度的光子發射器和接收器，能提供800吉字節/秒的超高數據傳輸帶寬以及每傳輸1比特數據僅消耗120飛焦耳的卓越能效。同時，新芯片的帶寬密度為5.3太字節/秒/平方毫米，遠超現有基準。而且，最新芯片的設計架
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三維光電子芯片
- 3月26日消息，據報道，由美國哥倫比亞大學與康奈爾大學等科研機構的科學家們組成的聯合團隊，通過深度融合光子技術與先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）電子技術，成功研制出一款創新型三維光電子芯片。該團隊精心打造的這款三維芯片，尺寸極為精巧，面積僅為0.3平方毫米，卻在如此微小的空間內實現了高度集成，其上搭載了80個高密度的光子發射器與接收器。這一芯片擁有高達800吉字節/秒的超高速數據傳輸帶寬，并且每傳輸1比特數據，僅消耗120飛焦耳的能量，展現出卓越的能效表現。同時，新芯片的帶寬密度達到5.3太字節/秒
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三維光電子芯片介紹
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