臺灣TFT-LCD液晶面板產業赴大陸設廠投資，原本市場預期將獲政府單位于今年1月底正式放行。不過，由于相關配套措施方案仍在研擬中，因此關于產業類別松綁月底拍板之規劃，能否如預期般在今年1月底拍板定案，尚待觀察。
至于韓國兩大面板廠Samsung和LG Display雖然已獲南韓政府許可，將分別在大陸蘇州投資興建7.5代廠、廣東投資興建8.5代廠，并預計將分別于2011第四季到2012年第二季投產，不過，由于外資登陸投資還須經過大陸政府核準，目前尚未開始進行。
受到大陸液晶電視市場快速成長、
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Samsung TFT-LCD 面板
根據市場研究公司IC Insights預計，2010年將有9家半導體公司資本支出超過10億美元。
2009年資本支出超過10億美元的公司數為8家，然而當前資本支出將更為集中。
2010年資本支出超過10億美元的公司有：Samsung(60億美元)、Intel(53億美元)、TSMC(30億美元)、Hynix(20億美元)、Toshiba(19.5億美元)、AMD/GlobalFoundries(19億美元)、Micron(13億美元)、Nanya(11億美元)和Elpida(10億美元)。
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Samsung 存儲芯片
全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴廠競賽”以來，DRAM市場嚴重供過于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預期下，DRAM價格持續性下跌也就顯得理所當然。
所幸，金融海嘯的發生，迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出，停止原先擴廠計劃，單就臺灣各家DRAM業者為例，2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計31萬片12吋晶圓月產能的建廠計劃遭到凍結或延后，茂德更為確保現金，暫時退出標準型DRAM生產行列，轉而投入晶圓
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Samsung DRAM
據華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿易委員會(FTC)并未發現NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據，將結束為期將近3年的調查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。
韓國FTC自2007年1月開始調查存儲器產業是否存在操控價格的不法行為，并調查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調查的廠商名稱。
存儲器產業近年來遭數個國家調查是否存在柯斷，近期
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Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
南韓三星電子(Samsung Electronics)及樂金電子(LG Electronics)全球攻勢凌厲，在各項電子產品中的銷售力驚人，多項產品更奪得全球第1寶座，OLED面板也不遑多讓，在世界具有舉足輕重的地位。
SMD OLED銷售額驚人
根據UB Industry Research調查，三星行動顯示(Samsung Mobile Display;SMD)在2009年第3季的OLED銷售金額已達1.72億美元，約占全球市場2.35億美元的73%，事實上可說是席卷整個市場，較上季銷售
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Samsung OLED
在多項終端產業，諸如筆記型計算機(NB)、液晶監視器、TV及照明等陸續應用LED為背光源的龐大商機驅動下，具備自主發展LED能力的臺、韓大廠紛紛擴產因應。在韓廠三星電子(Samsung Electronics)、首爾半導體(Seoul Semiconductor)、LG Innotek等大廠積極投資下，未來與臺廠可望有一番強烈較勁，而在世界舞臺上，也能持續發光發熱。
韓廠積極擴產LED
在南韓政府強力鼓吹下，南韓LED產業未來3年預定總投資金額將高達4兆韓元(近35億美元)，南韓LED產業
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Samsung LED NB 液晶監視器
兩大韓系內存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發展。
隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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Samsung DRAM NAND
雖LED業者一致認為，LED最終應用將面向廣大的照明市場，然由于現階段LED照明價格仍貴，以千流明為單位作比較，LED價格尚高出螢光燈10倍以上，故導致2009年LED在整體照明市場滲透率尚不到0.5%。預估2012年當LED發光效率達130 lm/W，且LED成本每千流明為5美元時，才是LED照明大量被采用時程。
在LED照明市場起飛以前，另一LED應用已如火如荼展開-也就是大尺寸LCD顯示器用LED背光。在常規NB方面，2009年每2臺NB中有1臺已使用LED背光，故LED NB可謂是全民機
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Samsung LED LCD
經歷上一波DRAM產業不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現金成本之上，開始全力擴產找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開始大量投產，領先臺廠2個世代之多，臺系DRAM廠在追趕的進度上，再度顯得相當吃力。
就像過去每次的景氣循環一樣，當走出谷底的初期，國際大廠總是早一步獲利，臺廠緩步跟隨在后，這次也不例外，臺廠再度過年初的財務危機之后，隨著DRAM
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Samsung DRAM
根據韓聯社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發專案，以維持韓國在半導體產業的領先地位。
韓國知識經濟部半導體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預估該市場于2
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Samsung 芯片制造 MRAM
集邦科技WitsView光電事業處經理邱宇彬25日在LED Forum 2009中，針對NB、Monitor與TV等LED背光趨勢指出，LED NB已是無法回頭的路，預估2013年滲透率達100%，不過LED Monitor相對受限，預估2011年才能進入起飛的一年，而LED TV滲透率明年將大幅成長80%來到13.2%。
邱宇彬指出，LED在NB背光的滲透率自2008年的9.9%，大幅躍增至2009年的60.5%，為成長最具爆發性的一年，而LED NB已是“無法回頭的路&rdquo
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Samsung LED背光 NB 光學膜
近期包括Sony、三星電子(Samsung Electronics)等消費性電子大廠財報頻報喜，紛優于預期，相關IC設計業者在第3季法說會亦陸續對2009年第4季及2010年釋出樂觀展望，雖然部分客戶第4季開始進行庫存調整，但臺系IC設計業者均認為，在耶誕銷售旺季后，客戶庫存水位降低，2010年首季可望回補庫存，確立消費性IC廠先蹲后跳的復蘇走勢。
芯片龍頭廠英特爾(Intel)率先公布第3季財報優于預期，并樂觀預測第4季業績可望繼續成長;三星則呼應英特爾預期第4季景氣將受消費性電子產品季節性需
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Samsung IC設計 STB
日系DRAM大廠爾必達(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現連虧8季以來的首度由虧轉盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位， DRAM廠營運狀況大幅轉好，更開始進入獲利狀態。業界預估，如果DRAM價格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達即不需要獲得日本政府基金的補助款，屆時美光向美國WTO告狀一事，也不會成為困擾。2009年爾必達打算跳過50奈米制程，直接投資40奈米制程生產線，成本大幅降低，可正式與三星電子
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Samsung DRAM DDR2
三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業生態，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業現發展情況優于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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Samsung 內存芯片 DRAM
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