光收發模塊的制造可分成四個階段：

　　第一階段是單晶通過MOCVD技術，生長量子結構，再經光刻、鍍膜、解理以及測試等工藝，制造激光器和探測器芯片。

　　第二階段是對芯片進行貼裝、引線壓焊以及封帽來制成TO封裝產品，或把芯片裝在陶瓷載體上。

　　第三階段是對TO封裝產品進行組裝、耦合對準以及激光焊接制成同軸發射接收組件、單纖雙向或雙端口/三端口組件;或對陶瓷載體器件進行組裝、耦合對準、激光熔焊以及封帽，制成直插式或蝶形封裝組件。

　　第四階段是在組件上加驅動電路、前置放大以及時鐘等電路，再寫入相關協議程序制成光電收發模塊。

　　每個階段的產品均可獨立包裝銷售給下一階段的廠商，成為下一階段制造的關鍵原材料。

　　光電器件研發生產企業根據其自身的資金和技術能力，生產其中一個階段或幾個階段的產品。光收發器件是光纖傳輸系統的心臟，其中的激光器、探測器等芯片又是光發射、接收器件的心臟。光纖通信系統的性能水平、可靠性和成本在很大程度上都由光電器件決定。

　　1972年3月，我國相關部門把光纖通信系統及相關光電器件列為國家重點項目。在國家“863”計劃中，也把光纖通信系統及關鍵元器件列為重點項目給予支持。目前，我國華為、中興、烽火三大光纖通信系統制造商的技術水平已和國際先進水平相當，且擁有成本優勢，占全球市場的半壁江山。與此同時，我國在光電器件的研究開發和產業化方面也取得了較大的進步，培育出飛通、WTD等一批光電器件模塊制造商。

　　目前光電器件在國內的發展呈現幾個特點：

　　一是針對市場上有批量需求的10Gb/s及以下速率的模塊產品，我國已掌握批量生產技術，形成批量生產能力。

　　二是我國已掌握2.5Gb/s及以下速率的各種組件產品的封裝技術，并擁有大批量的生產能力。對于10Gb/s速率的產品組件所采用的封裝技術，相關企業正在開發中，相信不久后我國將具有批量生產的能力。

　　三是針對2.5Gb/s以下的PD和芯片，我國已實現批量生產，基本能滿足快速發展的FTTP的市場需求。除個別企業能自行生產部分1.25Gb/s脊波導F-P激光二極管芯片外，2.5Gb/s及以下速率的LD芯片、APD芯片大部分依賴進口;2.5Gb/s以上的高速器件，調制器全都依賴進口。