工藝技術

　　當把 SOT23 等非常小的封裝用于較高功率時，第一個大問題是實際裸片尺寸，第二個大問題是封裝的熱耗散。SOT23-6 并不是一種非常低溫阻的封裝。SOT23-6 封裝從接頭到周圍環境的典型熱阻是 265 開爾文/瓦。如果這種器件工作于室溫，那么它能達到的最大功耗大約是 380mW。請記住，多數應用需要工作在遠高于室溫的溫度下，能達到的最大功耗低得多。80 攝氏度的環境溫度使允許的最大功耗降至大約 170mW。

　　在使用這類封裝時，這些溫度方面的考慮事項只有一個解決辦法：需要降低功耗！NS公司的新型 PVIP(功率 VIP)工藝是一種專門針對電源管理的工藝。它提供了極度精簡的集成電路，它們的電阻非常低。這使芯片設計人員能提高電流和電壓，或縮小裸片尺寸而保持性能相同。

　　典型應用

　　在本文中，我們討論了使用反相拓撲結構的降壓穩壓器來產生負輸出電壓。這種拓撲結構的一個獨特之處是輸入電壓的絕對值可能低于或高于輸出電壓的絕對值。因此，對于需要降壓和升壓、并且負載的極性可被改變的每一種應用，都可以使用反相拓撲結構，而不是 SEPIC 拓撲結構。人們通常更喜歡這么做，這是因為可以節省額外的 SEPIC電感器占用的空間和成本。

　　這種反相拓撲結構的一個典型應用也是依靠寬范圍的輸入電壓來驅動 LED。圖 3 顯示了這樣的一個設計實例?？梢钥闯?，穩壓器是參考了輸出電壓而不是接地電壓。例子中的負載是由兩個白光 LED 構造的。串聯時，它們的合計正向電壓大約是 8V。根據溫度和生產中正規分布的不同，這兩個 LED的合計正向電壓可能在7V和8V之間。根據圖3顯示的電路，當使用了輸入電壓范圍是3V~24V的高端穩壓器時，輸入電壓的變化可以從3V到24V。