背景：當人們以納米為單位討論IC制程時，實際尺寸的測量值到底是多少？

　　有些時候一個非常直接的問題卻有一個及其麻煩的答案。上面的問題就是一個案例。

　　最初，IC制程是由印刷和光刻膠所能處理的最細走線來命名的，后來成功轉變為晶圓表面的一個特性。實際中，這個特性總是用來定義MOS晶體管的閘極電極走線。所以，制程的名字就用來標識閘電極的寬度。

　　為了使事件更復雜，設計者把它稱為“閘長度”。不幸的是，閘長度還是晶體管速度的一個近似測量，它決定在手工布線時你可以堆疊的晶體管數目。

　　市場部門開始利用這個單詞來表征好壞，把一個物理尺寸的測量變為了市場聲勢的測量。結果，350nm由實際物理尺寸的測量變為了制程的名字。雖然這個制程也許只可以處理380nm的線寬，但是通過不同的技巧，制程工程師可以讓晶體管的溝道寬度就好像是350nm。由此開始。

  
　　現在，這個數字已經恢復了一些作為物理尺寸測量的精確性。65nm制程通常確實可以實現65nm線寬。但也有例外，比如，一個公司的設計制程最終可以實現65nm的線寬，然而從經濟角度考慮他們會對關鍵的一兩條采用最合適的線寬。他們最終會宣布這是“65nm”制程，雖然當前它并不能實現65nm的功能。

　　有意思的是，對于光刻流程來講現今波長193nm的光無法真正的把65nm的線由掩模轉移到晶圓的表面，所以設計者采用了很多復雜的技巧去實現這一過程，由光刻過程中衍射造成的模糊和畸變使得最終可以得到近似可信的65nm線寬。這些技巧包括給掩模上的線加“裝飾”，中間突出，在四周有晶絲，這些處理使得一個長方形看上去更象是墨漬測試里的圖形。相應的，這就意味著即使你可以在一顆中得到完美的可用65nm線寬，但是你可能無法在另一顆中得到同樣的結果。你可能必須考慮留出“裝飾”的空間。

　　所以目前65nm和45nm并不完全代表線寬，當然也不代表你可以排列的晶體管的距離，雖然它們確實含有一些相關的信息。因此，最準確的描述大概還是這些數字只是制程的名字，而不是任何具體特性的測量值。