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IR推出用于DC-DC降壓轉換器的新型DirectFET MOSFET芯片組

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作者: 時間:2005-07-15 來源:電子產品世界 收藏

  世界功率管理技術領袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱)近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組。新品適用于下一代采用Intel和AMD處理器的高端臺式電腦和服務器,以及先進的電信和數據通信系統等高頻率、大電流的DC-DC轉換器應用。

  例如,電流為130A的五相轉換器如果采用最新的F6619 和F6633芯片組,可在一個緊湊的面積上實現85%的效率。

  IR中國及香港銷售總監嚴國富指出:“IRF6619 和IRF6633 芯片組能在處理器電源系統的每相位中取代四個標準的D-Pak MOSFET,可以減少一半的元件數量,并為每個相位減少一半以上的占板空間,有效壓縮工作站和服務器的體積。”

  IRF6619是理想的同步MOSFET,器件的典型導通電阻極低,在10VGS下為1.65mΩ,在4.5VGS下則為2.2mΩ,而逆向恢復電荷可以低至22nC。該器件采用MX中罐DirectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度只有0.7mm。

  IRF6633的柵電荷極低,米勒電荷只有4nC,最適合作為控制用場效應管。與市場上其他20VN器件相比,其導通電阻和柵電荷減少了43%以上。該器件的混合導通電阻與柵電荷性能效益指數為38 mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度同樣只有0.7mm。

  IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利,它匯集了標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優點。金屬罐構造能發揮雙面冷卻功能,使得用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力增加一倍。

  該芯片組的基本規格如下:

 

產品編號

封裝

功能

BVDSS (V)

10V下最大RDS(on) (mOhm)

4.5V下最大RDS(on) (mOhm)

VGS

(V)

Tc=25



關鍵詞: IR

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