隨著越來越多半導體廠商的介入，45nm工藝技術持續升溫。特許半導體、IBM、英飛凌和三星四大半導體巨頭日前宣布，已聯手開發出基于低功耗45nm工藝的首款功能性芯片，并且將目標瞄準下一代通信系統。這四家公司早已就開發90nm、65nm和45nm工藝技術結成了最為醒目的聯盟。

    該款芯片由IBM位于紐約州East Fishkill的300mm晶圓廠生產。標準庫單元和I/O單元驗證模塊由英飛凌提供。

    據該聯盟成員表示，他們的45nm工藝在四家公司的各晶圓廠內都相互兼容，而這種低功耗工藝預期會在2007年底前在特許半導體、IBM和三星的制造廠中完成安裝和認證。

    駐地于East Fishkill的聯盟已就通用平臺晶圓代工技術模型進行了數年合作，期間得到電子設計自動化、知識產權(IP)和設計服務業等眾多合作伙伴的支持。其目的就在于：使客戶能夠以最小限度的返工把他們設計的芯片外包給多家300mm晶圓廠來制造。

    “該芯片的推出意味著我們可以靈活使用45nm工藝，而這歸功于GDSII在多家制造廠的兼容。”聯盟小組主要成員兼IBM半導體研發副總裁Lisa Su指出，“我們的初期硬件測試結果顯示，45nm節點器件的性能至少比65nm要高出30%，產品開發人員可以放心采用這種工藝進行設計。”

    英飛凌計劃在2009年初與聯盟其它成員同步推出基于45nm技術的芯片，并主要面向移動應用，該公司董事會成員Hermann Eul告知。但Eul不愿披露該公司45nm戰略的細節。

    “根據未來的市場發展情況，英飛凌將在稍后決定自己的晶圓廠策略。”Eul在接受EE Times的采訪時談到。

    目前英飛凌將部分生產業務外包給了晶圓代工合作伙伴特許半導體。

    多家芯片制造廠

    “45nm產品的出現為英飛凌提供了三家芯片制造廠，它們都能生產通信及其它類產品。”市場研究公司iSuppli的半導體-制造分析師Len Jelinek表示，“我認為英飛凌可能將其主要生產業務交給特許半導體，而把IBM和三星作為候補力量，這樣在需求量很大的時期可以真正降低風險。”

    Jelinek認為，特許公司同時也獲益匪淺，因為目前已有三家主流公司委托它進行制造代工。

    Jelinek指出，四家公司聯盟后，各自投入的費用比單獨開發所需的要少。通過在三星的S1 operation、特許的Fab 7以及IBM的Building 323等多地制造廠使用相同掩膜組，開發、驗證和量產的成本以及上市時間都得到大幅度下降。

    “撇開一些傳統的競爭問題不談，聯盟合作比單兵作戰能夠更快地達到目標。”他補充道。

    此次45nm技術宣布時，半導體制造業正處于一輪新的強勁增長周期中。晶圓代工業在2005年下跌了2.2%，但根據Gartner公司最近發布的預測數據，晶圓代工業務今年將回彈并增長19.8%，且在2007年將得到18.2%的增長。

    四家公司共同開發的針對45nm工藝的初期設計工具包已對其重要客戶開放。

    其它廠商也在奮力擠身45nm行列

    今年初，英特爾披露了其45nm工藝的初步細節，聲稱已生產出全球首批基于45nm的芯片，并將在2007年下半年做好量產準備。另外，英特爾還宣布自己已有三家300mm制造廠能夠生產45nm芯片，包括俄勒岡州的D1D廠、亞力桑那州的Fab32和以色列的Fab28。2005年，英特爾投資在興建新制造廠及對現有工廠升級改造方面的資金超過40億美元。

    應對晶圓代工競爭對手的挑戰，臺積電最近也披露了其45nm工藝的初步細節，并計劃在2007年第三季投入生產。據臺積電稱，其10層金屬層技術能使柵極長度減少到26nm。

    TI尚未對外宣布其45nm工藝，但該公司專用產品平臺經理Peter Rickert表示，TI計劃2007年推出45nm的芯片樣品，并于2008年全面投產。

    與此同時，瑞薩科技和松下也宣布他們合作進行的45nm工藝開發已進入全面綜合測試階段。而東芝、索尼和NEC也打算開始45nm工藝技術的研發。