意法半導體和IBM宣布兩家公司簽署一項技術合作協議，雙方將合作開發半導體下一代制造工藝 — 開發制造半導體的技術“訣竅”。

協議內容包括32納米和22納米互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的開發、設計實施和針對300-mm晶圓制造特點調整的先進技術研究。此外，該協議還包括這兩家公司在技術開發領域居領先水平的核心bulk CMOS工藝和增值的衍生的系統級芯片(SoC)技術。根據該協議，ST和IBM將合作開發IP模塊和平臺，以加快采用這些技術的系統級芯片器件的設計速度。

作為本協議的一部分，協議雙方還將在對方公司內部成立一個技術開發小組。在紐約East Fishkill和Albany的IBM的半導體研發中心，ST將設立一個bulk CMOS技術研發小組。同時，在法國Crolles的意法半導體300mm芯片研發及制造中心，IBM將成立一個研發小組，兩家公司將合作開發各種增值的衍生技術，如嵌入式存儲器和模擬/RF器件。這些技術可廣泛用于消費電子、服務器市場和無線應用領域，如手機和全球定位系統。

意法半導體將加入一個由半導體制造商、開發商、技術公司為解決制造更小、更快、更低廉的半導體產品所需的設計復雜性和先進工藝開發而成立的技術聯盟。在這個由6家公司組成的IBM CMOS技術聯盟內，每個成員公司都享有優先使用技術、參與技術定義、使用合作研發資源解決問題以及共用一個合作制造基地的權利。

同樣地，IBM和ST將擴大ST在法國的300mm晶圓制造廠的開發網絡，接納IBM技術聯盟中對開發增值衍生系統級芯片技術感興趣的其它成員。

通過參加成員之間資源共享的開放式生態系統，技術聯盟公司認識到通過整合研發力量和知識產權技術可以提高創新速度，降低相關成本。隨著聯盟不斷擴大，為了解決以更快的速度、更低廉的價格設計、制造更好的半導體產品的嚴峻挑戰，更多的成員為此投入了更大的資源，從而使合作關系的好處日益突出。 

“ST做出了一項重要的戰略決定：利用公司在面向系統技術領域積累的知識，集中公司的研發資源開發增值的衍生技術，” 意法半導體主管前工序技術及制造活動的執行副總裁Laurent Bosson表示，“考慮到IBM在開發先進半導體技術方面取得的不凡業績，我們相信這個合作項目將會給雙方帶來克服這些技術挑戰所需的專業知識和技術解決方案，并確保雙方具有競爭力的產品的上市時間。”

“意法半導體加盟IBM技術聯盟，使我們進一步增強了解決半導體工業開發先進技術過程中固有的技術和經濟問題的能力，”IBM主管研發的高級副總裁John E. Kelly III表示，“我們與ST的技術共享和開發合作將有助于提高制造工藝的開發實力，同時還能給客戶帶來更短的產品上市時間和更大技術好處。”

雙方合作開發的制造工藝將在ST的300mm晶圓制造廠(法國Crolles)投入量產，同時也在這個合作平臺的制造商的300mm設施內批量生產，其中包括IBM。

考慮到更長遠的合作前景，利用CEA-LETI公共研究所與ST建立的歷史悠久的成功的合作關系，IBM、CEA-LETI (法國格勒諾布爾)和ST計劃在未來的技術節點上展開合作。

關于這項合作的財務細節沒有披露。