單結晶體管是近幾年發展起來的一類新型電子器件，它具有一種重要的電氣性能，即負阻特性，可以大大簡化自激多諧振蕩器、階梯波發生器及定時電路等多種脈沖產生單元電路的結構，故而應用十分廣泛。了解單結晶體管的伏安特性曲線，是理解及設計含單結晶體管電路工作原理的基礎。在傳統的單結晶體管伏安特性測試實驗中，通常需要直流電源與晶體管圖示儀兩種設備配合使用，然而圖示儀沒有相應的器件插孔，測試很不方便。另外，因圖示儀的頻率特性低，無法顯示單結晶體管伏安特性的負阻區，這給理解其特性曲線帶來困難。可以利用Multisim 10與LabVIEW結合完整地顯示其特性曲線，且方便于讀取峰點與谷點的電壓及電流值。

　　1 用Multisim 10進行數據采集

　　Multisim 10的元器件庫提供數千種電路元器件供實驗選用，虛擬測試儀器儀表種類齊全，有一般實驗用的通用儀器，但沒有晶體管圖示儀，只能測試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線，不具備測試單結晶體管的伏安特性的功能。可以利用Multisim 10強大的仿真功能，對單結晶體管的測試電路進行數據采集。

　　1.1 單結晶體管的測試電路

　　單結晶體管的伏安特性測試條件是當第二基極B2與第一基極B1之間的電壓VBB固定時，測試發射極電壓VE和發射極電流IE之間的關系。在Multisim 10中畫出單結晶體管的測試電路，如圖l所示。選取2N6027管為測試管，圖1中4號線接發射極E；3號線接第二基極B2；0號線接第一基極B1；電壓源V1和V2的數值不固定，可在直流掃描時進行修改。

　　1.2 單結晶體管測試電路的直流掃描分析

　　Multisim 10可同時對2個直流源進行掃描，仿真時，選擇V2直流源，掃描曲線的數量等于V2直流源的采樣點數。每條曲線相當于V2直流源取某個電壓值時，對V1直流源進行直流掃描分析所得的曲線。橫坐標是V2，縱坐標是V(4)電壓(即VE)和I(V3)電流(即IE)，不符合單結晶體管伏安特性VE與IE之間的關系曲線，即直流掃描曲線不能直觀地反映VE與IE之間的關系，必須進行進一步的處理。

　　1.3 單結晶體管測試數據的后處理

　　可采用Multisim 10提供的后處理功能與直流掃描功能相配合，將采集的實驗數據輸出到Excel電子表格中，如圖2所示。在Excel表中，X-Trace欄顯示的是變化的V2電壓值；Y-Trace顯示的是不同V2電壓下，I(V2)的電流值和V(4)的電壓值，因為每個點均有橫坐標與縱坐標的值，所以會出現多次的X-Trace欄。至此，由Multisim10進行的數據采集工作已經結束。