日益復雜的3G多模式手機需要更多部件，包括雙工器、濾波器和前沿電源管理，因此3G手機設計的挑戰在于如何降低設計復雜度、減少元件數量以及優化射頻設計。RF Micro Devices(RFMD)公司高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器(PA)滿足支持下一代多頻段、多模式3G手機和智能電話所要求的這些關鍵需求。

RFMD的WCDMA/HSDPA功率放大器RF3267是1頻段(1920至1980MHz)、具有數控低功率模式的WCDMA/HSDPA功率放大器，允許高達19dBm工作，降低了電流消耗。RF3267具有集成的耦合器，從而手機設計人員無需象以往一樣在功率放大器的輸出端放置外置耦合器。在不增加行業領先的3×3×0.9mm封裝尺寸的情況下，即可實現額外功能的整合，這是跟隨上一代功率放大器(RF3266)的成功而首次推出。通過保持與獲得巨大成功的上一代功率放大器引腳對引腳兼容，RFMD的RF3267有助于手機原始設備制造商(OEM)尋求壓縮手機射頻部分，以支持更小、更薄的設備。

RF3267的主要特性包括：

+28dBm線性輸出功率，ULRMC12.2(26.5dBm, HSDPA)；
在28dBm輸出情況下具有+28dB線性增益；
數字控制HPM/LPM；
支持HSDPA；
低靜態電流( (LPM20mA)；
具有21% 線性效率@19dBm (LPM)；

集成耦合器

憑借領先的產品系列、制造規模、系統級專業技能以及封裝與組裝能力，RFMD在3G前沿領域堪稱業界領先者，并在3G手機設計活動方面表現出色，所有這些優勢可使RFMD最大程度降低復雜性，減少元件數，以及優化多頻段、多模式WCDMA/HSPA手機與智能電話的射頻設計。