隨著超大規模集成電路和系統級芯片(SoC)的發展，集成電路的測試面臨越來越多的困難，尤其在測試模式下的功耗大大高于工作模式時的問題已經引起了研究人員的重視。隨著IC工作頻率、集成度、復雜度的不斷提高，IC的功耗也快速增長。以Intel處理器為例，其最大功耗大約每4年增加1倍。而隨著制造工藝特征尺寸的降低，CMOS管的靜態功耗急劇增加，并且呈指數增長趨勢。由此帶來了一系列的現實問題，因為過大的功耗會引起IC運行溫度上升，導致半導體電路的運行參數漂移，影響IC的正常工作，降低了芯片的成品率和可靠性，甚至使電路失效[1]。因此低功耗測試對當今VLSI系統設計變得越來越重要，在芯片測試的過程中考慮低功耗測試問題已成為一種趨勢。特別是在當前深亞微米工藝下，線寬越來越小，所以對線上的電子密度要求越來越嚴格。隨著溫度的升高，電遷徒速度越來越快，導致連線的失效率上升，從而降低了整個電路的可靠性。高功耗造成的溫度升高還會降低載流子的遷徒率，使得晶體管的翻轉時間增加，因而降低了系統的性能。

　　1 CMOS電路能量和功耗數學估算模型

　　CMOS VISL中的功耗主要分為靜態功耗和動態功耗兩大類[2]。靜態功耗主要由漏電流產生，由于CMOS電路結構上的互補對稱性，同一時刻只有一個管子導通，漏電流很小，因此靜態功耗不是系統功耗的主要部分。動態功耗來自于器件發生“0/1”或“1/0”跳變時的短路電流和對負載電容充放電時所引起的功耗，動態功耗是電路功耗的主要來源[3]。

　　在CMOS電路中，一個CMOS邏輯門的平均動態功耗Pd可表示為[4]：

　　根據式(1)可知，CMOS VISL中的動態功耗主要取決于3個參數：電源電壓VDD、時鐘頻率f和電路中反映節點開關翻轉活動率的幾率因子?琢。通過降低電源電壓VDD和時鐘頻率f來降低電路的功耗是以降低電路的性能為代價的，因而通常采用降低測試時電路開關翻轉活動率?琢來降低功耗，這種方法不會使電路的性能下降，是目前降低功耗的主流技術。

　　2 RSIC測試序列生成