IGBT將是實現中國十一五規劃能源消耗降低２０％的關鍵
----------- 2007年慕尼黑上海電子展展前巡禮

中國十一五規劃已明確提出：單位國內生產總值能源消耗比“十五”期末要降低20%左右。由于電力是目前中國主要的工業能源，因此要實現國家的這一宏大生態目標，關鍵就是要有效降低工業生產過程中那些需要大電流和高電壓的應用的功耗，如交流電機控制、逆變器、繼電器、UPS電源、開關電源、變頻器、有源濾波器、EPS電源、風力發電設備、工業傳動裝置、電梯或輔助傳動設備、機車與列車用電源、以及供暖系統傳動裝置等工業自動化應用。

所有這些交流控制應用都需要一個能夠產生大電流和高電壓的核心功率器件，目前市場上的核心功率器件主要有MOSFET半導體場效應晶體管、雙極型功率晶體管和絕緣柵雙極型功率晶體管IGBT。MOSFET場效應晶體管具有開關速度快和電壓型控制的特點，但其通態電阻大，難以滿足高壓大電流的要求；雙極型功率晶體管雖然能滿足高耐壓大電流的要求，但沒有快速的開關速度，屬電流控制型器件，需要較大的功率驅動。因此MOSFET半導體場效應晶體管和雙極型功率晶體管都不能滿足小型、高頻和高效率的要求，只有絕緣柵雙極型功率晶體管IGBT集MOSFET場效應晶體管的高速性能和雙極型功率晶體管的低電阻性能于一體，具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅動功率小、開關速度快、工作頻率高、安全工作區大等優點，這使得IGBT器件成為了這些大功率工業自動化應用的理想功率開關器件，因此能否有效地降低IGBT開關元件的功耗也就成為實現中國十一五規劃能源消耗總目標的關鍵之一。

在即將于上海舉行的2007年慕尼黑電子展上，當今最領先的IGBT器件供應商，如三菱電機、塞米控、富士電機和英飛凌半導體等領先企業將為廣大的中國機電產品設計師帶來他們開發的最新IGBT產品。例如，三菱電機公司將帶來其第五代高性能、小型化、低損耗智能功率模塊(IPM)，它的主要特點有：采用第5代新溝槽型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)硅片，絕緣電壓最高達2500V，其功耗比第一代產品降低70%，體積大大減小，而且低損耗；7單元和6單元緊湊封裝；通過采用新的ASIC控制di/dt減少EMI；在硅片上設置溫度傳感器，使過溫保護更精確；制動IGBT的額定電流提高到逆變IGBT的50%；最大輸出電流可達900A；開關頻率可高達20KHz。

三菱電機率先在IGBT硅片上集成了反向導通二極管，并成功開發出反向導通RC-IGBT，這可進一步減少模塊內置硅片數量和配線數，以提高產品的性價比。采用散熱優化的封裝結構使產品的熱阻與以往產品相比減小了約一半（減小45%），散熱特性得到改善。同時，針對去年7月起實行的歐洲RoHS指令，該模塊外部端子的電鍍層采用完全無鉛焊料，模塊內部的焊接也是完全無鉛化的，從而實現了模塊整體的無鉛化，完全滿足歐洲的RoHS標準。

英飛凌科技公司將帶來專為牽引驅動而優化的全新IHM/IHV B系列IGBT功率模塊和全新緊湊型PrimePACKTM IGBT模塊系列。借助全新IHM/IHV B系列IGBT功率模塊，用戶可設計出能夠在嚴酷的環境下正常工作，全面滿足大負荷與溫度循環要求的高效功率變頻器，如電力機車、電車的牽引驅動裝置等。全新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規格，實現了熱阻性能的改善和負荷循環能力的提高，并將運行溫度提高至+150℃。
 
與同等尺寸的傳統變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優良的熱性能，運用它設計的變頻器的輸出電流在典型的工況下可以使得輸出電流的能力提高50% ，例如，3,300V模塊的額定電流從1,200A升至1,500A，增幅高達25%。這種全新模塊的最大運行溫度也從先前+125℃上升至+150℃。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40℃降低至-55℃。
 
IHM/IHV B系列模塊與成熟IHM-A系列產品完全兼容，這能夠讓用戶在不改變產品結構的情況下，進行更新換代。除改進熱阻性能外，全新B系列模塊還可滿足一些要求非常苛刻的應用，如電力機車或電車的牽引驅動裝置等對耐用性與可靠性的要求。在啟動與停止階段，這些牽引驅動裝置的溫度有很大的波動。為了滿足牽引驅動設備的性能需求，英飛凌為IHM/IHV B設計了碳化硅鋁（ALSiC）基板,與氮化鋁襯底結合使用，可將熱循環能力提高10倍。對于其他溫度變化幅度較小的應用，如工業傳動、風力發電和電梯等，英飛凌將提供使用銅基板的IHM/IHV B模塊。IHM/IHV B系列模塊的電流能夠做到3,600 A,電壓可達3,300 V。此外，這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。

全新緊湊型PrimePACKTM IGBT模塊系列則可為各種工業傳動裝置以及風力發電、電梯以及其它傳動設備、電力機車用電源及供暖系統傳動裝置，提供優化型功率轉換器系統解決方案。在這種基于創新型封裝概念的全新PrimePACKTM模塊中，IGBT芯片距基板緊固點更近，降低了基板與散熱器之間的熱阻。基于這些特點，與傳統模塊相比，能夠使內部雜散電感降低60%左右。減少雜散電感對于消除尖峰過電壓是非常重要的。獨特的布局大大改善了熱分布，實現了整個模塊系統的低熱阻性能。最高運行溫度從+125℃提高到+150℃，大大超出了先前模塊。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40℃降低至-55℃。這一面向功率變換器應用的全新IGBT模塊，還能在相同阻斷電壓或模塊尺寸的條件下，使額定電流上升20%左右，或者在以相對較小的體積實現相同的功率損耗。 
    目前，英飛凌已經推出了1,200V和1,700V兩個電壓級別的PrimePACKTM模塊，每個模塊都有兩種尺寸規格：89mm