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DS2433設計轉變為DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

作者: 時間:2011-11-02 來源:網絡 收藏
DING-TOP: 0px">SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
CIN/OUT
TA= +25°C
100
800
pF
6
注6:首次加電時,數據引腳的電容可為800pF。如果使用5kΩ電阻將數據線上拉至VPUP,在向寄生電容加電后5μs將不影響正常通信。

摘自數據資料
SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
CIO
TA= -40°C to +85°C
2000
pF
5, 6
注5:首次施加VPUP時,數據引腳的電容為2500pF。如果使用2.2kΩ電阻上拉數據線,向寄生電容施加VPUP后15μs將不影響正常通信。
注6:僅由設計、特征參數和/或仿真保證,無生產測試。

影響:由于需要的編程電流高于,它所要求的寄生供電電容明顯大于。由此降低了給定1-Wire主控制器能夠驅動的從器件數量。對于工作裕量很小的應用(低VPUP、高RPUP、短tREC),可能不能使用

措施:為了解決DS24B33高輸入電容的問題,有必要選擇較低的1-Wire上拉電阻,或使用專用的1-Wire主控器件,例如DS2480B。對于低上拉電壓的應用,電阻上拉接口可能必須采用有源上拉驅動代替,例如DS2482。

工作條件變化

  1. 上拉電壓
    說明:該參數規定1-Wire工作電壓。上限為1-Wire器件在沒有應力、無時間限制情況下IO引腳可承受的電壓。

    摘自DS2433數據資料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    VPUP
    TA= -40°C to +85°C
    2.8
    6
    V
    1
    注1:VPUP= 外部上拉電壓。

    摘自DS24B33數據資料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    VPUP
    TA= -40°C to +85°C
    2.8
    5.25
    V
    2, 3

    注2:系統要求。<

    關鍵詞: DS2433 DS24B33 EEPROM

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