參數說明：block，塊號；返回值0，擦除錯誤（若是壞塊直接返回0；若擦除出現錯誤則標記為壞塊然后返回0），返回值1，成功擦除。

static int NF_EraseBlock(unsigned int block){/* 如果該塊是壞塊, 則返回 */
　　if(NF_IsBadBlock(block)) return 0;
　　NF_nFCE_L(); /* 片選NAND Flash芯片*/
　　NF_CMD(0x60); /* 設置擦寫模式 *//* A9A16(Page Address) , 是基于塊擦除*/
　　NF_ADDR(blockPage0xff);
　　NF_ADDR((blockPage>>8)0xff); /* A25(Page Address) */
　　NF_ADDR((blockPage>>16)0xff); NF_CMD(0xd0); WAITRB();CMD(0x70);
　　if(RDDATA()0x1){/*如有錯,標為壞塊,取消Flash選中*/
　　MarkBadBlock(block);
　　return 0;
　　} else { /* 退出， 取消Flash 選中*/
　　return 1;}

3 ECC校檢原理與實現

　　由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能可靠，因此在NAND的生產及使用過程中會產生壞塊。為了檢測數據的可靠性，在應用NAND Flash的系統中一般都會采用一定的壞區管理策略，而管理壞區的前提是能比較可靠地進行壞區檢測。如果操作時序和電路穩定性不存在問題的話，NAND Flash出錯的時候一般不會造成整個塊或是頁不能讀取或全部出錯，而是整個頁（例如512字節）中只有一位或幾位出錯。對數據的校驗常用的有奇偶校驗、CRC校驗等，而在NAND Flash處理中，一般使用一種專用的校驗——ECC。ECC能糾正單位錯誤和檢測雙位錯誤，而且計算速度很快，但對1位以上的錯誤無法糾正，對2位以上的錯誤不保證能檢測。ECC一般每256字節原始數據生成3字節ECC校驗數據，這3字節共24位分成兩部分：6位的列校驗和16位的行校驗，多余的2位置1，如表1所列。

表1 校檢數據組成

　　首先介紹ECC的列校檢。ECC的列校驗和生成規則如圖4所示，“^”表示“位異或”操作。由于篇幅關系，行校檢不作介紹，感興趣的讀者可以參考芯片datasheet，在三星公司網站可以免費下載。

圖4 列校驗和生成規則

　　數學表達式為：

　　當向NAND Flash的頁中寫入數據時，每256字節生成一個ECC校驗和，稱之為原ECC校驗和，保存到頁的OOB數據區中。當從NAND Flash中讀取數據時，每256字節生成一個ECC校驗和，稱之為新ECC校驗和。校驗的時候，根據上述ECC生成原理不難推斷：將從OOB區中讀出的原ECC校驗和與新ECC校驗和按位異或，若結果為0，則表示無錯（或者出現了 ECC無法檢測的錯誤）；若3字節異或結果中存在11位為1，表示存在一個位錯誤，且可糾正；若3個字節異或結果中只存在1位為1，表示 OOB區出錯；其他情況均表示出現了無法糾正的錯誤。

4 UBOOT下功能驗證

　　實現UBOOT對NAND Flash的支持主要是在命令行下實現對NAND Flash的操作。對NAND Flash實現的命令為：nand info、nand device、nand read、nand write、nand erease、nand bad。用到的主要數據結構有：struct nand_flash_dev和struct nand_chip，前者包括主要的芯片型號、存儲容量、設備ID、I/O總線寬度等信息，后者是對NAND Flash進行具體操作時用到的信息。由于將驅動移植到UBoot的方法不是本文重點，故不作詳細介紹。

　　驗證方式：通過TFTP將數據下載到SDRAM中，利用nand read、nand write、nand erease三個命令對NAND Flash進行