高精度CMOS帶隙基準源的設計
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式中：△VBE表現出正溫度系數，而且此溫度系數是與溫度無關的常量。
將正、負溫度系數的電壓加權相加，就可以得到一個近似與溫度無關的基準電壓。常見的一階可調基準源電路如圖1所示。
式中：N為Q2與Q1的發射結面積之比，式(4)中第一項具有負的溫度系數，第二項具有正、負溫度系數，合理設計R0與R1的比值和N的值，就可以得到在某一溫度下的零溫度系數的一階基準電壓。式(5)中方括號內是約為1.25 V的一階溫度無關基準電壓，通過調節R2/R0的比值，可以得到不同大小的基準電壓。
2 電路結構及原理分析
圖2為本文設計的基準源整體電路圖，包含帶隙核心電路、反饋補償電路和啟動電路。其中虛框a為帶隙核心電路，虛框b為偏置及反饋補償電路，虛框c為基準源啟動電路。
2.1 帶隙核心電路
圖2中，由Mp1～Mp3，MN1，MN2，R1，R2和Q1，Q2組成的電路構成帶隙核心電路。輸入晶體管的偏置電流由PMOS電流源提供，可通過減小其電流，而不是減小其寬長比來降低負載器件的gm，從而增加其差動放大增益。
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