其中Itot = Icc + Iref + Iopto

　　而且，驅動一個光耦合器所需的電流Iopto 通常為1.5mA。

　　這說明對于一個Vout = 20V， Iref = 7mA， Icc = 1.5mA，Iopto = 1.5mA的無負載典型系統，二次側功耗（Pout）等于：

　　Pout = （Vout Vtot） = （Vtot （Iref + Icc + Iopto）） = （20V （7mA + 1.5mA + 1.5mA）） = （20V 10mA） =200mW

　　一次側功耗

　　現在我們將注意力轉向一個典型適配器應用的一次側，一個開關電源的一次側由若干個功能塊（例如：功率因數校正和脈寬調制）構成，每個集成塊都會提高器件的總功耗。但是，因一次側功能塊引起的總功耗在無負載條件下通常假定為80mW左右（因為充電器和適配器的功率范圍在5W之內）。

　　額定功效 是有關一次側總體功耗的關鍵系數，最高的額定功效大約50%。這就是說，將1mW的功率傳輸到二次側，在一次側需要2mW的功率。

　　回到我們上面的方程式計算中，在無負載條件下，如果我們在二次側需要200mW的功率，就必須在一次側產生400mW的功率，而且還需要80mW的電流驅動脈寬調制控制器。

　　這個關系式表明，如果在二次側降低無負載功耗，那么，一次側將獲得兩倍的好處。

優化系統

　　通常情況下，當一個人設計充電器或適配器應用時，這個應用的無負載功耗目標就已經確定了。具體目標可能是500mW或300mW，但是，直到今天，無負載總功耗達到100mW似乎仍然是可望而不可及。

　　在本節我們將看到三個實例系統：

　　（a） 一個典型的二次配置，如圖1所示；這個系統采用一個通用二次集成電路，如ST的TSM103。

　　（b） 一個先進的二次側電路圖（見圖3），這個結構采用一個集成電路，如ST內置自極化電壓基準器件的TSM1011。這個自極化電壓基準器件的集成取代了電阻器Rref，，從而消除了基準電流Iref。

　　（c） 一個先進的二次側電路圖（見圖3），這個結構采用一個極其先進的集成電路 ST的 TSM1012，在無負載條件下，這個電路消耗電流僅150礎 。

　　除考慮典型的二次側結構（圖1）和先進的二次側結構（圖3）外，現在市場上還有三種只需0.5mA的光耦合器。我們將會看到，使用這種光耦合器也能將功耗降到很低。

　　下表列出了上面討論的三個系統中的每個系統的參數：

　　從上表對比中我們不難看出，采用一個小功耗光耦合器配合TSM1012的系統，與一個典型的恒壓恒流二次側對比，前者的功耗經濟性接近80%。最重要的是，采用這個先進的系統，無負載功耗能夠降低到近100mW。