淺談功率半導體的技術與未來產業發展（一）
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現代功率半導體器件的制造技術與超大規模集成電路一樣都是以微細加工和MOS工藝為基礎，因而為功率半導體的集成化、智能化和單片系統化提供了可能，進而促進了將功率半導體器件與過壓、過流、過溫等傳感與保護電路及其驅動和控制電路等集成于同一芯片的單片功率集成電路的迅速發展。
目前市場主流的功率半導體器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高壓集成電路，隨著以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發展，SiC和硅基GaN電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發展領域。
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