a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 用于PDIC的跨阻放大器的優(yōu)化設(shè)計

用于PDIC的跨阻放大器的優(yōu)化設(shè)計

作者: 時間:2013-11-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
提出了一種用于。電路由三級相同的推挽級聯(lián)而成,每級均采用一動態(tài)電阻對負載進行補償,以提高的相位裕度。反饋電阻由一柵極受控的PMOS 管替代,避免了大尺寸多晶硅電阻引入的附加相移,增加了電路的穩(wěn)定性。采用XFAB 0. 6μm CMOS 工藝提供的PD K,在Cadence Spect re 環(huán)境下進行電路設(shè)計、仿真驗證。仿真結(jié)果表明,電路的增益、帶寬及穩(wěn)定性均得到滿意結(jié)果。
用于PDIC的跨阻放大器的優(yōu)化設(shè)計

電子管相關(guān)文章:電子管原理




關(guān)鍵詞: PDIC 跨阻 放大器

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉