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針對無線基礎設施設計的新型放大器

作者: 時間:2013-11-12 來源:網絡 收藏
2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  另外兩款最新寬帶MMIC放大器既適用于傳輸鏈的驅動放大器又可作為接收鏈的二級低噪聲放大器。MMG15241H pHEMT器件覆蓋500~2800MHz頻段,在2140MHz下的噪聲系數為1.6dB。P1dB輸出功率為+24dBm,IP3為39dBm,小信號增益為15dB。此外,MMG20271H低噪聲放大器覆蓋1500~2400MHz頻段。在2140MHz下具有1.8dB的噪聲系數,P1dB輸出功率+27dBm,42dBm的IP3以及15dB的小信號增益。

  Skyworks Solutions新推出的兩款GaAs MMIC低噪聲放大器號稱能滿足多種蜂窩接收器應用(包括GSM、CDMA、WCDMA和LTE基站及中繼器)苛刻的噪聲和線性要求(圖2)。SKY67100-396LF覆蓋1.7~2.0GHz頻段,SKY67101-396LF覆蓋0.7~1.0GHz頻段。這些增強型贗晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪放大器具有0.49dB的低噪聲系數和34dBm的輸出三階截取點。其內部有源偏置電路確保不同溫度下具有穩定的性能。

  

《電子系統設計》

  圖2:這兩款GaAs增強型pHEMT低噪放大器主要針對多種蜂窩接收器應用(包括GSM、CDMA、WCDMA和LTE基站及中繼器)。

  在1.95GHz下,SKY67100-396LF 的噪聲系數為0.61dB。它具有優于20dB的輸入回波損耗和34dBm的高輸出三階截取點。在0.9GHz下,SKY67101-396LF的噪聲系數是0.49dB。其在0.9GHz的輸入和輸出回波損耗都在20dB以上。在0.9GHz,這款LNA具有34.1dBm的高三階截取點。

  Avago Technologies分別覆蓋1500~2300MHz以及2300~4000MHz頻段的兩款器件完善了該公司下一代低噪聲放大器系列,該系列產品覆蓋用于GSM、CDMA、UMTS、WiMAX和LTE的所有蜂窩頻段。這些LNA針對基站RF前端設計而開發。在1900MHz及5V/51mA典型工作條件下,該公司的專利GaAs增強型pHEMT工藝技術提供了0.48dB的噪聲系數以及35dBm的OIP3。它具有17.8dB 的增益,P1dB輸出功率為21dBm,。在2500MHz及5V/56mA典型工作條件下,該技術提供0.59dB的噪聲系數和35dBm的OIP3。它具有17.5dB的增益、P1dB壓縮點輸出功率為+22dBm。得益于內置有源偏置電路,Avago低噪聲放大器的工作電流是可調的。因此,設計人員可在工作電流和輸出線性度(采用OIP3測量)之間進行權衡同時保持最佳的噪聲系數。

  Aeroflex/Metelics的HBT放大器產品線非常適合蜂窩、PCS、2.5/3G、MMDS、WLL及其它應用。該公司同時提供中/小功率放大器以及Darlington增益模塊。HBT中/小功放專為高頻、A類驅動器件設計,其輸出功率為0.25至4W,增益范圍為100MHz至2650MHz。例如,MMA717-3030就是針對100MHz至2.5GHz的中等功率水平而設計。通常情況下,它具有31dBm的輸出功率,50dBm的高輸出IP3,其典型動態范圍是97dB。

  對Aeroflex/Metelics而言,InGaP HBT MMIC放大器被專門設計成寬帶Darlington增益模塊,它結合了不同水平的小信號增益、噪聲和帶寬。它們能在100MHz~12GHz范圍提供平坦的增益響應。例如在2GHz下,MMA708覆蓋DC~4000MHz,同時提供13dB的增益。它在-1dB時的輸出功率為20dBm,典型IP3為38dBm。該放大器提供6dB的噪聲系數,其輸入和輸出VSWR(電壓駐波比)分別為1.40:1和2.00:1。

  在之前召開的IEEE國際微波研討會(IMS)上,恩智浦半導體(NXP)展示了一系列基于硅鍺碳(SiGe:C)技術的射頻和中頻放大器,包括從低噪聲放大器到固定和可變增益放大器等一系列產品,這些器件據稱可在基礎設施的收/發器射頻設計中實現更高集成度。該公司提供了一系列覆蓋400~3500MHz的Doherty功放,包括一款三路Doherty放大器和一款基于該公司50V LDMOS工藝的單封裝600W Doherty功放,它們均工作在900MHz。這款三路Doherty功放可實現52.7dBm的峰值功率(44.1dBm的平均功率),效率高達49.2%。600W(57.8dBm)的單封裝電路可實現43%以上的效率,在整個工作頻段具有49.2dBm的輸出功率。

  RFHIC公司表示,對LDMOS來說,在整個30MHz帶寬及六條信道上取得更高效率是一個挑戰。此外,LDMOS晶體管封裝和輸入/輸出匹配模圖都會更大。因此,該公司選擇了氮化鎵(GaN)方法。用于LTE和WCDMA應用的80W功放覆蓋2110~2140MHz、帶寬是30MHz(圖3)。借助Doherty設計和DPD技術,它能夠提供35%或更高的效率。該功放在48V具有50dB增益。通過與韓國移動服務提供商SK電信的合作,這款氮化鎵(GaN)放大器已經被部署在選定地點。RFHIC下一代產品的目標是達到40%的效率。

  

《電子系統設計》



關鍵詞: 無線 基礎設施 新型放大器

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