智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM
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相變存儲器即是英文Phase Change Memory-- PCM 的縮寫。就是一種利用六族與第四、五族的化合物作為存儲材料的存儲器。 該種化合物是一種相態可逆變的物質。可以在有序結構(晶態-低阻)和無序結構(非晶態-高阻) 之間變化。本文引用地址：http://www.j9360.com/article/201893.htm
通過圖片可以看出，電流電壓曲線圖是從一個ＰＣＭ的存儲單元獲得。讀取操作是工作在電壓５００毫伏且電流小于１００微安以下的區間內，所以沒有對ＧＳｔ產生加熱的效應。晶態和非晶態的存儲狀態也就沒有變化。當電壓大于５００毫伏且電流大于５００微安時，電阻加熱器就會融化ＧＳＴ材料。此時晶態和非晶體的狀態就會發生變化。
基于相變技術的存儲器具有三個特性，包括位修改（直接寫入），高寫入次數，工藝和成本的可延續性。下面圖片是對現在流行的存儲器之間的比較。
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