光敏二極管工作在反偏狀態，因為光照可以增加少數載流子的數量，因而光照就會導致反向漏電流的改變，人們就是利用這樣的道理制作出了光敏二極管。既然此時漏電流的增加是人為的，那么漏電流的增加部分也就很容易能夠實現人為地控制。

2、強調一個結論：

講到這里，一定要重點地說明PN結正、反偏時，多數載流子和少數載流子所充當的角色及其性質。正偏時是多數載流子載流導電，反偏時是少數載流子載流導電。所以，正偏電流大，反偏電流小，PN結顯示出單向電性。特別是要重點說明，反偏時少數載流子反向通過PN結是很容易的，甚至比正偏時多數載流子正向通過PN結還要容易。

為什么呢?大家知道PN結內部存在有一個因多數載流子相互擴散而產生的內電場，而內電場的作用方向總是阻礙多數載流子的正向通過，所以，多數載流子正向通過PN結時就需要克服內電場的作用，需要約0.7伏的外加電壓，這是PN結正向導通的門電壓。而反偏時，內電場在電源作用下會被加強也就是PN結加厚，少數載流子反向通過PN結時，內電場作用方向和少數載流子通過PN結的方向一致，也就是說此時的內電場對于少數載流子的反向通過不僅不會有阻礙作用，甚至還會有幫助作用。

這就導致了以上我們所說的結論：反偏時少數載流子反向通過PN結是很容易的，甚至比正偏時多數載流子正向通過PN結還要容易。這個結論可以很好解釋前面提到的“問題2”，也就是教材后續內容要講到的三極管的飽和狀態。三極管在飽和狀態下，集電極電位很低甚至會接近或稍低于基極電位，集電結處于零偏置，但仍然會有較大的集電結的反向電流Ic產生。

3、自然過渡：

繼續討論圖B，PN結的反偏狀態。利用光照控制少數載流子的產生數量就可以實現人為地控制漏電流的大小。既然如此，人們自然也會想到能否把控制的方法改變一下，不用光照而是用電注入的方法來增加N區或者是P區少數載流子的數量，從而實現對PN結的漏電流的控制。也就是不用“光”的方法，而是用“電”的方法來實現對電流的控制(注2)。接下來重點討論P區，P區的少數載流子是電子，要想用電注入的方法向P區注入電子，最好的方法就是如圖C所示，在P區下面再用特殊工藝加一塊N型半導體(注3)。

圖C所示其實就是NPN型晶體三極管的雛形，其相應各部分的名稱以及功能與三極管完全相同。為方便討論，以下我們對圖C中所示的各個部分的名稱直接采用與三極管相應的名稱(如“發射結”，“集電極”等)。再看示意圖C，圖中最下面的發射區N型半導體內電子作為多數載流子大量存在，而且，如圖C中所示，要將發射區的電子注入或者說是發射到P區(基區)是很容易的，只要使發射結正偏即可。具體說就是在基極與發射極之間加上一個足夠的正向的門電壓(約為0.7伏)就可以了。在外加門電壓作用下，發射區的電子就會很容易地被發射注入到基區，這樣就實現對基區少數載流子“電子”在數量上的改變。

4、集電極電流Ic的形成：

如圖C，發射結加上正偏電壓導通后，在外加電壓的作用下，發射區的多數載流子——電子就會很容易地被大量發射進入基區。這些載流子一旦進入基區，它們在基區(P區)的性質仍然屬于少數載流子的性質。如前所述，少數載流子很容易反向穿過處于反偏狀態的PN結，所以，這些載流子——電子就會很容易向上穿過處于反偏狀態的集電結到達集電區形成集電極電流Ic。

由此可見，集電極電流的形成并不是一定要靠集電極的高電位。集電極電流的大小更主要的要取決于發射區載流子對基區的發射與注入，取決于這種發射與注入的程度。這種載流子的發射注入程度及乎與集電極電位的高低沒有什么關系。這正好能自然地說明，為什么三極管在放大狀態下，集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關的原因。放大狀態下Ic并不受控于Vc，Vc的作用主要是維持集電結的反偏狀態，以此來滿足三極管放大態下所需要外部電路條件。

對于Ic還可以做如下結論：Ic的本質是“少子”電流，是通過電子注入而實現的人為可控的集電結“漏”電流，因此它就可以很容易地反向通過集電結。

5、Ic與Ib的關系：

很明顯，對于三極管的內部電路來說，圖C與圖D是完全等效的。圖D就是教科書上常用的三極管電流放大原理示意圖。

看圖D，接著上面的討論，集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關，主要取決于發射區載流子對基區的發射注入程度。

通過上面的討論，現在已經明白，三極管在電流放大狀態下，內部的主要電流就是由載流子電子由發射區經基區再到集電區貫穿三極管所形成。也就是貫穿三極管的電流Ic主要是電子流。這種貫穿的電子流與歷史上的電子三極管非常類似。如圖E，圖E就是電子三極管的原理示意圖。電子三極管的電流放大原理因為其結構的直觀形象，可以很自然得到解釋。

如圖E所示，很容易理解，電子三極管Ib與Ic之間的固定比例關系，主要取決于電子管柵極(基極)的構造。當外部電路條件滿足時，電子三極管工作在放大狀態。在放大狀態下，穿過管子的電流主要是由發射極經柵極再到集電極的電子流。電子流在穿越柵極時，很顯然柵極會對其進行截流，截流時就存在著一個截流比問題。截流比的大小，則主要與柵極的疏密度有關，如果柵極做的密，它的等效截流面積就大，截流比例自然就大，攔截下來的電子流就多。反之截流比小，攔截下來的電子流就少。柵極攔截下來的電子流其實就是電流Ib，其余的穿過柵極到達集電極的電子流就是Ic。