saber下MOSFET驅動仿真實例
Q2的驅動電路中Rg=15,Q1的驅動電路中Rg=10,這樣的目的是在討論驅動電路中等效電阻的不一致(可能來自Rg本身不一致,也可能是線路不同,器件不同而造成的不一致)情況下,對串聯MOSFET導通過程影響。觀察Vd1和Vd2兩點的波形,如圖:

從圖中可以明顯看到,由于驅動電路參數不一致Rg1
一般MOSFET串聯都需要動態和靜態均壓。靜態均壓見圖中的MOSFET兩端并聯電阻,取值可以參考MOSFET手冊中關斷狀態的漏電流,通過靜態電阻的漏電流是通過MOSFET靜態漏電流的6倍左右,太大會加大電阻靜態損耗。
本設計中動態均壓網絡,采用TVS并聯在MOSFET兩端,起到保護作用。TVS管好像有點貴,也可以采用RCD網絡。有人說,TVS并聯起到的不是動態均壓作用,只是瞬態保護作用,這也是有道理的。
TVS管選擇,就是Vwm 大于電路正常工作電壓,Vc小于電路額定最大工作電壓。
采用TVS管保護電路前后,Vd1仿真波形對比圖:

可以看到,加入TVS管后,尖峰脈沖的持續時間大大縮短。
MOSFET串聯應用,在保證動態靜態均壓和驅動一致性的條件下,還要采用一些隔離技術和多路驅動技術,以保證多只MOSFET串聯組成高壓大功率高頻開關。這方面這里就不再寫了,希望大家指點
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