業內領先的創新公司展示在非易失性存儲器和互補MOS技術上取得最新進展


意法半導體參加近日 在華盛頓DC特區舉辦的2005年國際電子器件大會（IEDM），ST將為本屆大會帶來13篇獨立創作和合作創作的科技論文，ST的頂級力作包括展示世界上存儲單元最?。?.042平方微米）的65 nm NOR 閃存技術和一個創新的HBT（異質結雙極晶體）體系結構，HBT符合了高性能低成本的基于RF CMOS平臺的最苛刻的應用開發要求。

“我們參加本屆IEDM大會的規模和范圍再一次證明了ST的研發實力和引領創新的能力，以及ST推進先進半導體技術產業化的做法,” ST負責前端技術及制造的公司執行副總裁Laurent Bosson表示， “這種超高水平的研究技術還證明ST能夠與Crolles2聯盟合作伙伴以及來自其它國家的世界一流的研究機構密切合作。” 

ST將針對高性能的1位/單元和2位/單元產品公布一個存儲單元尺寸最?。▋H為0.042平方微米）的65nm NOR閃存技術，這一成果證明其在非易失性存儲器（NVM）市場上的領導地位。 為了解決今天的無線通信應用對更高密度閃存的苛刻需求，ST的方法是利用鈷自對準硅化物和三個銅金屬化層集成65nm NOR閃存陣列和1.8 V應用低壓CMOS邏輯電路。 

ST位于法國Crolles的研究人員針對體基片和SOI（絕緣膜上硅）開發出一個成本低廉的SiGeC HBT（異質結雙極晶體管）體系結構，為向成本低廉的高性能RF-CMOS平臺發展鋪開了道路。 只要給核心CMOS增加四個掩膜，即可制造出新的器件，創新的分離式發射極布局可以最大限度地降低全注入集電極的電阻率。

除在2005 IEDM大會上宣讀多份論文外，ST的MEMS事業部總監Benedetto Vigna還應邀做一個公開的“大會演講”，向與會者介紹ST公司的MEMS技術、產品及應用。 ST的專家還應邀參加以非易失性存儲器及半導體研發為主題的專家討論組。

 
微機電系統 (MEMS) 器件正在進入汽車、工業、計算機和消費市場，市場應用范圍越來越廣。 ST位于微機電系統技術研究和產業化的前沿，在大會演講中，ST發現無線傳感器網絡、智能藥丸、片上實驗室等新市場和應用都將會受益于這些尺寸小、功耗低、成本低廉的片上微加工機械結構。 

作為下一代非易失性存儲器的主要替代產品，相變存儲器（PCM）技術越來越引人注意。 ST位于意大利Agrate的研究中心與米蘭理工學院合創的兩篇論文論述了組成PCM單元的無定形硫族化物材料機械結構，并解釋了恢復動力特性和結晶對數據保存能力的影響。

另外兩篇論文論述的是有關非易失性存儲器結構的縮減和可靠性的重要內容。 第一篇是ST與研究伙伴米蘭理工學院共同撰寫的，這篇論文討論了一個新的如何檢測應力在氧化硅上引起缺陷的實驗方法，第二篇論文是ST與CEA-LETI、比薩大學和CNRSA合創的，這篇論文論述了一項有關離散陷阱非易失性存儲器在數據保存期間的電氣特性以及其對單元縮小的影響。  

ST Crolles聯盟CEA-LETI 和其它研究伙伴將發布一篇如何針對高性能雙通道CMOS制造超短通道的應變鍺pMOSFET的論文。 實驗結果證明，利用很薄的高介電系數的柵極電介質可以將空穴遷移率提高到空前水平。這一結果是通過優化應變硅鍺異質型結構實現的。

一篇有關硅CMOS和MEMS技術融合應用的論文將懸浮柵MOSFET描述成集成電流開關的備選體系結構，因為這種結構具有創記錄的亞閾值斜率（2mV/decade）和超低的柵漏電流。

ST還將聯合飛利浦和飛思卡爾在IEDM 2005大會上介紹Crolles2聯盟的合作研究團隊所取得的最新成果。 這些成果包括第一個運行SRAM單元，這個單元采用先進的工業用CMOS技術制造的 NiSi 全硅化(TOSI) 柵極;增強型“溝道第一硬掩膜”(TFHM)的后端體系結構，該項技術用于在65 nm以下技術節點上集成先進的低電介系數的電介質膜；論證在基于Hf的材料中T>475