霍爾傳感器(Hall Sensor)的集成解決方案

　　霍爾效應傳感器具有比傳統機械和金屬簧片器件都要多的優勢。通過從根本上消除機械磨損，霍爾傳感器的非接觸實施提高了可靠性和耐久性，該器件也能感應到由有色金屬進行物理阻撓的磁場。而霍爾器件的應用方向是將感應器件和控制邏輯及接口電路集成到同一個芯片上，其關鍵是在縮小尺寸的同時，也確保了復雜的模擬和混合信號電路的集成。

　　為了幫助設計師實現這種集成解決方案，X-FAB為其0.18um平臺開發了霍爾傳感器技術，從而可以實現高集成度而縮小片芯尺寸，可獲得一個高的磁敏感性和最小的寄生效應，可支持成功的霍爾傳感器IC設計。

　　MEMS

　　MEMS市場因為許多行業引入固態的壓力傳感器、慣性傳感器、紅外傳感器、加速度傳感器、陀螺儀和生物芯片等技術而得以興起，并因為它們與其它電子系統協同產生新的應用而發展。由于MEMS器件的制造技術與集成電路的相似，因此X-FAB能夠協同利用這兩種技術以及其在模擬/混合信號代工工藝經驗方面的優勢。這確保了X-FAB能夠提供與CMOS工藝一樣的高質量組織、采購和在MEMS技術領域大批量制造的經驗。

　　“X-FAB支持完全針對客戶的MEMS工藝開發，客戶可以在廣泛的范圍內進行工藝選擇，包括表面微加工技術和批量微加工技術能力。”Hartung先生說。“X-FAB還為很多主流MEMS應用開發了自己的技術平臺，比如壓力傳感器、慣性傳感器和紅外傳感器。這些可以很容易地滿足客戶的要求。”

　　More than Moore的挑戰

　　當然，與處理器和存儲器等More Moore產品不斷縮小尺寸的開發方式不同，開發More than Moore產品的挑戰更多。這些產品不僅要求設計師能夠理解應用去定義產品(除了電學指標，還有環境溫度等)，而且還需要在模擬和混合信號電路設計中具備充分的經驗，同時還需要很多生產工藝的支持。比如開發PCIe和USB3.0等數字接入和傳輸芯片時可以依靠第三方的知識產權(IP);但是在開發應用于現實世界中各種無線接入的CMOS工藝RF芯片，則離不開經驗與工藝的支持。

　　因此，要幫助芯片設計師實現其More than Moore產品，一家晶圓代工廠應當具備全面的混合信號半導體工藝、IP和經驗，同時還需要有先進的邏輯電路工藝進行配合。與此同時，許多應用對混合信號芯片和傳感器的精度要求越來越高，所以還要求代工廠具備更加精準的器件模型。此外，由于這些芯片的應用環境更加復雜，因此代工廠還需要有具有高溫、高壓等工藝。

　　“我們應對這些挑戰的策略有很多，我們有完整的工藝系列，并采用模塊化的組合方式將模擬/混合信號新工藝與加工尺寸結合在一起，可以用數千種組合來滿足客戶的產品定義和性能。”Hartung先生說。“同時我們自行開發了主要的工藝技術，因此可以確保最精確的模型;在質量保證體系上，利用我們15年以上的汽車半導體生產經驗，我們全面采用汽車電子更加嚴格的質量標準，同時努力做到為客戶提供零缺陷的高可靠產品。”

　　X-FAB的工藝70%由自行開發，另外30%是通過與客戶共同開發而成。該集團高度看好未來中國電子和微電子產業內的創新，特別是中國廠商在消費電子新應用和各種專業電子領域內的創新活動。Hartung先生認為目前全球半導體市場正在恢復，政府的支持與投入在這個階段十分重要，中國政府對自主創新的空前重視將帶來技術產業的快速發展。因此該公司不僅愿意為中國客戶提供其領先的工藝和技術，而且希望能夠和中國設計單位共同開發新的工藝技術。