碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，一種第三代半導體材料。
碳化硅晶片經外延生長后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。以碳化硅晶片為襯底制造的半導體器件具備高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用于新能源汽車、5G 通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等現代工業領域，在我國"新基建"的各主要領域中發揮重要作用。
碳化硅類型
碳化硅襯底主要有兩大類型：半絕緣型和導電型。在半絕緣型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為4 英寸，主要應用于信息通訊、無線電探測等領域。在導電型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為6 英寸，主要應用于新能源汽車、軌道交通以及大功率輸電變電等領域。
碳化硅行業發展與創新
近年來，中國碳化硅行業受到各級政府的高度重視和國家產業政策的重點支持。國家陸續出臺了多項政策，鼓勵碳化硅行業發展與創新，《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》等產業政策為碳化硅行業的發展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業提供了良好的生產經營環境。
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碳化硅的應用
隨著可再生能源和能源存儲解決方案的發展，碳化硅在變頻器、逆變器和功率模塊等電力電子設備中的應用日益增加。電動汽車和混合動力汽車的普及推動了碳化硅在汽車動力電子和充電設備中的需求增長。碳化硅在冶金、化工、半導體制造等工業領域中的應用也在擴大。碳化硅在太陽能電池、風能發電設備和能源存儲系統等領域中的應用在增長。